Mae'r gallu i leihau'r dimensiynau nodwedd transistorau seiliedig ar silicon yn galluogi y diwydiant lled-ddargludyddion i wella perfformiad, cynyddu cyflymder a lleihau pris chylchedau integredig y 55 mlynedd diwethaf. Yn y 1960au hwyr, rhagwelodd Gordon Moore y byddai dwysedd y transistor ar gyfer cylched cyfannol yn dyblu bob 18 mis (Moore law). Hyd yma, mae'r diwydiant lled-ddargludyddion yn gallu dilyn cyfraith Moore drwy wella'r priodoleddau datrysiad o arfau photolithography. Arf photolithography Mae system optegol prosiectau'n delwedd mwgwd (yn cynrychioli haen o cylched cyfannol) ar wafferi hynny wedi'i orchuddio â â deunydd sensitif i olau (ymwrthod â). Ar ôl amlygiad, datblygir y ymwrthod â i ddatgelu'r patrwm sy'n cael ei drosglwyddo i wyneb y wafer drwy ysgythriad technegau. Lled-ddargludyddion dadansoddwyr wedi theorized photolithography arfau gyda ffynonellau golau 157-nm ati eu terfyn cydraniad damcaniaethol erbyn 2010 (120 nm).