- Industry: Semiconductors
- Number of terms: 2987
- Number of blossaries: 0
- Company Profile:
National Semiconductor Corporation designs, develops, manufactures, and markets analog and mixed-signal integrated circuits and sub-systems.
Отсъсвие на валентен електрон в полупроводниковия кристал. Движението на дупки е еквивалентно на движението на положителен заряд.
Industry:Semiconductors
Въвеждане на избрани примеси в контролирани райони на полупроводника (посредством високоволтажна йонна бомбардировка) с цел постигане на желани електрични свойства.
Industry:Semiconductors
Границата между райони с p- и n-проводимост в силициева подложка.
Industry:Semiconductors
Мярка за дължина. 10е-6µ= 1 м (метър). [Забележка: µ като символ е различен от µ, използван като представка за обозначаване на микроединици като µA (микроампера) или µV (микроволта). Един микрон е един микрометър].
Industry:Semiconductors
Полупроводник или полупроводникова схема, съдържащи само един активен елемент, например транзистор или диод.
Industry:Semiconductors
Физични елементи и интерфейси, които съставляват компонент или система.
Industry:Semiconductors
Подвижни заредени носители (дупки или електрони), които преобладават в един полупроводников материал. Когато един канал е създаден в силиций той обикновено е следствие от промяна на основните носители.
Industry:Semiconductors
Преместването или движението на физичен материал в или през други съседни материали (виж електромиграция).
Industry:Semiconductors
Непреобладаващ подвижен зареден носител в полупроводник (като електрони в p-област, където основните носители би трябвало да се дупки).
Industry:Semiconductors
Транзистор, изработен чрез поставяне на p-тип база между n-тип емитер и n-тип колектор. Обикновено емитерът е отрицателен спрямо базата и колекторът е положителен по отношение на базата.
Industry:Semiconductors
